以文本方式查看主题 - 单片机在线编程网 (http://mcuisp.com/bbs/index.asp) -- STM8S的ISP (http://mcuisp.com/bbs/list.asp?boardid=20) ---- 对STM8S内部振荡HSI的观察与比较 (http://mcuisp.com/bbs/dispbbs.asp?boardid=20&id=81) |
|
-- 作者:McuIsp -- 发布时间:2009-11-29 12:59:02 -- 对STM8S内部振荡HSI的观察与比较 1、STM8S103 HSI的参数:0.5%的校准分辨率,极小的电压漂移,+-0.8%的典型温度漂移(未有列出最大值)。官方的说法是校准后的精度+-1%以内。 2、校准的方法及达到的精度: a,依赖ST校准,ST承诺最大误差为-4.5%~+3%,典型误差为-3.3%~+2.1%。 b,依赖外部基准时钟校准,校准后最大误差为+-0.3%再加上外部基准时钟的精度。由于校准后精度必定差于外部基准时钟,个人认为不如直接采用外部基准时钟作为系统时钟基准(譬如50Hz)。 c,依赖烧录器初始校准,校准后最大误差-1.9%~+1.9%,典型值为-1.0%~+1.0%。由于烧录器的时钟基准一般为数十ppm可忽略不计。 d,结合以上三者,即采用烧录器初始校准作为初始值,再利用外部基准时钟校准。 3、烧录器初始校准的说明:用户代码中保留一个FLASH或EEPROM位置,烧录器在烧录代码时,测量出该芯片的最佳校准值,写入该位置。用户代码在复位后把该值取出,写入CK_HSITRIMR即可。 4、在-40~0度的低温区,HSI的温度漂移比较大。0~+125度的温度范围内,漂移小很多。 5、由于ST的DATASHEET中对于HSI电压、温度的漂移,只有典型值的图。所以只能说依赖烧录器初始校准能达到-1.0%~+1.0%的典型精度。希望ST能给出电压、温度漂移的最大值,以便用户更好的评估、使用HSI。 6、STM8S207/208的校准分辨率为1%,但是207/208使用HSI作为时钟的可能性较小,我认为意义不大。就如同STM32的HSI,也可以校准,但意义不大(大都会用8M晶振)。 7、拿FreeScale的HCS08的ICS来做个比较,0.2%的校准分辨率,整个电压、温度范围的漂移+-2%。与STM8S比较,基本上是同一水平。 8、拿MSP430F2230的DCO来做个比较,每步12%的校准分辨率,整个电压、温度范围的漂移+-5%。呵呵,TI这方面不太理想。 |
|
-- 作者:McuIsp -- 发布时间:2009-11-29 12:59:30 -- 不经由外部时钟基准实时校准的话,而采用烧录器校准或测试模式预先校准的方式,STM8S的小容量HSI精度为-2.3%~+2.0%。比根据图中的典型值得到的-1.1%~+0.8%要大一倍。 这个精度基本满足低速串口通讯要求和红外遥控要求。 |
|
-- 作者:McuIsp -- 发布时间:2009-11-29 13:00:27 --
|
|
-- 作者:McuIsp -- 发布时间:2009-11-29 13:00:38 --
|