1、STM8S103 HSI的参数：0.5%的校准分辨率，极小的电压漂移，+-0.8%的典型温度漂移(未有列出最大值)。官方的说法是校准后的精度+-1%以内。
2、校准的方法及达到的精度：
   a，依赖ST校准，ST承诺最大误差为-4.5%~+3%，典型误差为-3.3%~+2.1%。
   b，依赖外部基准时钟校准，校准后最大误差为+-0.3%再加上外部基准时钟的精度。由于校准后精度必定差于外部基准时钟，个人认为不如直接采用外部基准时钟作为系统时钟基准(譬如50Hz)。
   c，依赖烧录器初始校准，校准后最大误差-1.9%~+1.9%，典型值为-1.0%~+1.0%。由于烧录器的时钟基准一般为数十ppm可忽略不计。
   d，结合以上三者，即采用烧录器初始校准作为初始值，再利用外部基准时钟校准。
3、烧录器初始校准的说明：用户代码中保留一个FLASH或EEPROM位置，烧录器在烧录代码时，测量出该芯片的最佳校准值，写入该位置。用户代码在复位后把该值取出，写入CK_HSITRIMR即可。
4、在-40~0度的低温区，HSI的温度漂移比较大。0~+125度的温度范围内，漂移小很多。
5、由于ST的DATASHEET中对于HSI电压、温度的漂移，只有典型值的图。所以只能说依赖烧录器初始校准能达到-1.0%~+1.0%的典型精度。希望ST能给出电压、温度漂移的最大值，以便用户更好的评估、使用HSI。
6、STM8S207/208的校准分辨率为1%，但是207/208使用HSI作为时钟的可能性较小，我认为意义不大。就如同STM32的HSI，也可以校准，但意义不大(大都会用8M晶振)。
7、拿FreeScale的HCS08的ICS来做个比较，0.2%的校准分辨率，整个电压、温度范围的漂移+-2%。与STM8S比较，基本上是同一水平。
8、拿MSP430F2230的DCO来做个比较，每步12%的校准分辨率，整个电压、温度范围的漂移+-5%。呵呵，TI这方面不太理想。

不经由外部时钟基准实时校准的话，而采用烧录器校准或测试模式预先校准的方式，STM8S的小容量HSI精度为-2.3%~+2.0%。比根据图中的典型值得到的-1.1%~+0.8%要大一倍。
这个精度基本满足低速串口通讯要求和红外遥控要求。

从User manual的图表来看，HSI的频率主要受温度和个体离散性影响。 由于内部采用了LDO给核心供电，HSI和LSI受VDD的影响都很小。 而温度的影响，从25度到125度，影响在0.5%左右。 从-40度到125度，影响在1.5%以下。

经过2天的研究，又来给香版提问了：   1、STM8S的HSI频率，除了个体离散性、电源电压Vdd和芯片温度Tj外，还有其他因素吗？我能想到如老化时效影响、芯片封装影响、安装到PCBA及设备内后周边材料器件的影响。   2、我目前手头的几个芯片，在3.4V/室温(33度左右)下进行测试，有的偏了0.8%左右，通过我现在的校准算法，103/105能校准到+-0.3%以下(因为校准分辨率为0.5%)。加上估计的温度影响(-40~125度，估计+-0.7%)(电压影响可以忽略)，在全电压、温度范围内可以达到+-1.1%。可以满足串口通讯、红外遥控等的要求。   ST的UserManual承诺的全电压、温度范围的精度为-4.3%~+3%，已经不能满足串口通讯的要求。ST有篇Appnote是用外部时基(50Hz)来进行校准的。哪有没有不需要外部时基，而是利用类似FreeScale、MSP430的做法来提高HSI应用精度的说明。   3、香版对STM8S芯片内部HSI Factory Calibrated的离散性有没有印象。   如果除了电源电压和芯片温度没有其他因素影响HSI，而温度的影响又是如UserManual中所示，+-0.7%的范围，则可以通过烧录器进行校准，把HSI的独立精度提高到+-1%的水平。   实测结果，我的几片测试片(有103/105/207/208/903)，在校准以后，输出50Hz的信号，均在49.8~50.2范围内(泰克示波器测量结果)，比校准前有明显提高。 注：FSL和MSP430内部的FLASH预存储有校准值，软件可以读出后写入寄存器，即提高HSI精度。